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1、220和311三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过raman测量,计算出其晶化率为35%左右
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
led封装方式是以晶粒(die)藉由打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板submount(次黏着技术)连结而成led晶片，再将晶片固定于系统板上连结成灯源模组。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127295.htm2011/8/18 16:47:54
论,并且确定了三角坑缺陷的晶向
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
最近很多媒体都大肆报道一种“高压led”，认为它是一种全新的led品种，而且具有很多优点，甚至认为它将使“今天的低压led将淡出未来的led通用照明市场”而高压led将“主导未来的
https://www.alighting.cn/resource/20110803/127343.htm2011/8/3 18:46:31
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
本文为上海晶丰明源半导体有限公司市场总监颜重光高工6月份在第三届照明产业最新技术及成果高峰论坛上面的精彩演讲ppt，具有参考价值，希望能给做驱动电源的朋友很好的帮助。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127405.htm2011/7/22 11:44:35
随着led应用的升级，市场对于led的需求，也朝更大功率及更高亮度的方向发展，对于高功率led的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压dc led为主，做法有二，一为传统水平结构，另一
https://www.alighting.cn/resource/20110720/127418.htm2011/7/20 9:39:54
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，mocvd生长的led磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
本文为晶科电子(广州)有限公司研发总监陈海英博士关于《芯片模组光源》的精彩演讲，现在分享给大家，希望能够通过分享与沟通来促进led交流。
https://www.alighting.cn/resource/20110711/127439.htm2011/7/11 17:19:27
