检索首页
阿拉丁已为您找到约 44771条相关结果 (用时 0.0258872 秒)

捷容 安规电容器——2021神灯奖申报技术

捷容 安规电容器,为东莞市捷容薄膜科技有限公司2021神灯奖申报技术

  https://www.alighting.cn/pingce/20201218/170106.htm2020/12/18 14:19:01

aeroxide?气相法氧化铝在荧光灯中的应用

dr.christoph batz-sohn 沈岚 朱维波 钟武军 赢创德固赛中国投资公司 方道腴 教授 复旦大学电光源研究所 摘要:赢创德固赛公司aeroxide?气相

  http://blog.alighting.cn/fangdaoyu/archive/2009/5/4/9918.html2009/5/4 11:11:00

欧司朗红外薄膜芯片原型能效跃至72%

欧司朗光电半导体的红外芯片原型成功创下达 72% 的能效新记录。工作电流为 1 a、功率为 930 mw 时,在实验室条件下,这款芯片的光输出比市售芯片要高出 25%,这就意味着未

  https://www.alighting.cn/news/20121212/n926046788.htm2012/12/12 9:48:05

kyma授权gtat使用等离子体汽相淀积技术

kyma technologies, inc.授权gt advanced technologies使用等离子体汽相淀积技术,该解决方案扩大了gt可用于生产低成本、开盒即用发光二极

  https://www.alighting.cn/news/20140306/111075.htm2014/3/6 14:58:15

高效大功率led关键技术

中科院半导体研究所做了题为《高效大功率led关键技术》的报告,详细的分析了高效大功率led关键技术,主要内容包括:正装条形线阵功率型led关键技术及进展和垂直结构(薄膜结构)功率

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/10/114810_18.htm2012/4/10 11:48:10

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

机物化学气相淀积(简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方

  https://www.alighting.cn/news/20110314/91282.htm2011/3/14 9:20:04

硅衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

蓝宝石(0001)衬底上ga浸润层对zno外延薄膜质量的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn

  https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49

日本开发出制作有机半导体单晶薄膜的新技术

日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平

  https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43

aledia加码veeco薄膜制程设备,加快研发3d microled

有机金属化学汽相沉积系统(mocvd)设备大厂美国维易科精密仪器有限公司(veeco instruments inc.)宣布,次世代3d led研发制造商aledia扩

  https://www.alighting.cn/news/20190329/161182.htm2019/3/29 10:05:58

首页 上一页 12 13 14 15 16 17 18 19 下一页