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极脱落，打穿电极)、打不粘(主要因为电极表面氧化或有胶)、有与发光材料接触不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层脱落为主、打穿电极【通常与芯片材料有关，材料脆且强度不高的材料易打穿电
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/17/359180.html2014/10/17 10:35:01
用氮化镓(gan)制造的蓝光led成
https://www.alighting.cn/news/20141016/97313.htm2014/10/16 17:54:23
而本届诺贝尔物理学奖的核心是，开发出了蓝色led使用的氮化镓(gan)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大，但不能说因为可以制作出这种晶体，物理学方面的理论研究就
https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22
https://www.alighting.cn/news/20141015/n162266402.htm2014/10/15 9:44:13
1年5月21日,主营光纤连接器、光纤适配器、光拈陶瓷插芯、光纤通信有源及无源器件产品、陶瓷新材料、氧化锆瓷块的开发、生产、销售
https://www.alighting.cn/news/20141015/n094866395.htm2014/10/15 9:26:00
a corporation）工作的39岁的中村修二终于发明了基于氮化镓和铟氮化镓的具有商业应用价值的蓝光led，从而引发了照明技术的新革命。凭借此项发明，他荣获2006年千禧科技
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/13/358956.html2014/10/13 16:43:33
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
近年来，随着led产业的发展，氮化镓的消费也不断增加。氮化镓的消费在金属镓的最终消费中占据越来越重要的位置。
https://www.alighting.cn/news/20141011/n305966294.htm2014/10/11 14:53:25
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
流的大功率led生产。 lumileds公司，美国在2001年开发出了不同的倒装芯片的电源的algainn(fcled)结构，制造过程：第一p型氮化镓外延膜沉积在顶部的层厚度超
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
