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担的“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予2500.3万元的资
https://www.alighting.cn/news/20140731/111070.htm2014/7/31 9:11:20
质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的gan类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
led芯片厂广镓光电（8199）2月营收达新台币2亿5971万，年增210.98％。广镓累计前2月营收5亿386万元，年增长261.99％。
https://www.alighting.cn/news/20100312/117685.htm2010/3/12 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(gan)为主的led，俄歇复合(auger recombination)是其效率下
https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00
led晶粒厂广镓(8199)受惠于整体接单产能延续满载状态，在下游客户存货盘点影响下，07年12月营收仍旧以2.09亿元续创历史新高，累计07年度总营收亦因此扩增至18.83亿
https://www.alighting.cn/news/20080109/119657.htm2008/1/9 0:00:00
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n，氮化镓薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下，使发光强度提升17
https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30
