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不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长gan质量的影响

n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化质量的影响机

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

氮化铝陶瓷基板在uv led中的应用与研究

本文概述了几种常用陶瓷基板材料的差异、以及在uv led应用领域中的重大意义。指出氮化铝陶瓷基板综合性能最好,是uv led理想的基板材料。

  https://www.alighting.cn/news/20200623/169278.htm2020/6/23 10:39:50

mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

晶电控告广专利侵权案判决 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/2009923/V21009.htm2009/9/23 10:08:53

intematix新型红色氮化物荧光粉提供更高性能

业界知名高质量led照明用专利荧光粉及荧光粉器件革新厂商intematix,近日发布了红色氮化物荧光粉ruby系列,可帮助高功率led实现更高的光效、演色性和可靠性。这些独特的荧

  https://www.alighting.cn/pingce/20121019/122245.htm2012/10/19 11:48:23

广规划2010上半年送件申请上市

受惠外延片缺货订单满载,广计划在2010上半年送件申请上市,并认为只要对公司最有利的发展,未来策略联盟或并购都不排除。

  https://www.alighting.cn/news/20100428/117258.htm2010/4/28 0:00:00

广8月营收劲扬,创单月新高

led芯片厂广光电8月营收新台币2.4426亿元(约合747万美元),月增10.73%,与2008年8月份相比增长了48.21%。2009年1月到8月,该公司的总营收为新台币1

  https://www.alighting.cn/news/20090914/95971.htm2009/9/14 0:00:00

广积极布局 迈向全彩led厂

台湾地区发光二极管(led)的上游外延厂商─广光电,跨入led照明和红光led生产领域,朝全彩化led厂的目标迈进;广董事长陈进财6日表示,广中科厂近期完工后,led月产

  https://www.alighting.cn/news/20090107/117264.htm2009/1/7 0:00:00

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