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日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
led照明技术及解决方案研发与制造厂商bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化
https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56
近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮
https://www.alighting.cn/news/2007724/V6183.htm2007/7/24 11:03:48
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司soraa来引领GaN基质研发项目。
https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光led 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基
https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18
日前外媒报导，北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷，来提高led发光材料的质量的新技术，研究人员介绍，通过该技术，相同的输入电能能够多产生2
https://www.alighting.cn/news/20110627/100654.htm2011/6/27 10:11:29
