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管人员，对芯片制造和应用有着丰富经验。其中有德国亚森工业大学教授，axitron公司副总裁，GaN器件外延技术专家michael heuken教授；德国亚森工业大学教授，GaN器件外
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293844.html2012/10/19 22:31:18
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/10/17/293388.html2012/10/17 14:45:53
外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式都是朝着两个方向，其一为寻找高散热系数之基板材料，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基板，其中矽及碳化矽基板之材
http://blog.alighting.cn/150981/archive/2012/10/5/292068.html2012/10/5 9:36:28
法》、《氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《半导体发光二极管用荧光粉》、《功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《半导体发光二极管芯片测试方法》、《半导体光电子器件小功率发光二极管空
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2012/9/25/290842.html2012/9/25 18:10:47
种led是将GaN芯片和钇铝石榴石（yag）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，wd=30nm），高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/9/22/290654.html2012/9/22 17:00:31
术，由我们的专业技术和应用团队开发的。“ 牛津仪器公司生产的蓝宝石与氮化镓蚀刻等离子设备pecvd沉积介电工具层成品hbled设备必不可少的。原文地址：应急灯消防应急照明灯疏散指示
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/9/20/290442.html2012/9/20 11:22:11
用此一凹凸不规则之设计表面强化led光输出量，即为在芯片表面建立texture表面结晶架构。osram即有利用此方案开发thin GaN高亮度产品，于inGaN层先行形成金属膜材质
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/9/19/290418.html2012/9/19 20:58:33
d产业在经历了从引进第一台四元系algainp/gaas mocvd设备和第一台GaN mocvd设备，研发出第一片高亮红、黄光外延材料和第一片高亮蓝、绿光外延材料，生产出第一批用
http://blog.alighting.cn/oumanlight/archive/2012/9/14/289954.html2012/9/14 16:28:54
制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝（aln）作缓冲。衬底材料导热系数w/(m·k)膨胀系数(x10e-
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
主知识产权的生产型GaN基mocvd设备。这可以说是真正意义上的中国自主研发制造的可以应用于大生产线的生产型设备。国产设备有优势，但在推广中也存在不少问题。如何使国产高端装备实现在
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/9/5/289135.html2012/9/5 8:23:30
