检索首页
阿拉丁已为您找到约 13758条相关结果 (用时 0.0139577 秒)

台湾高光能 led光源明年投产

我国台湾地区中部科学园区日前核定第一家节能厂商——高光能科技进驻,高光能标榜拥有独步全球的led日光照明光源技术,和景美科技合作的生产线,预计2009年初投产上市,将使台

  https://www.alighting.cn/news/20080807/117018.htm2008/8/7 0:00:00

allos推新型硅氮化镓外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

欧司朗任命林肇为亚洲公司新任首席执行官

欧司朗光电半导体亚洲有限公司近日迎来了一位新首席执行官。林肇先生于12 月初接管了公司的亚洲业务;;他同时还担任欧司朗光电半导体的全球销售副总裁。

  https://www.alighting.cn/news/2011126/n381036222.htm2011/12/6 8:42:51

陶氏化学于韩国天安设的三甲镓新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲镓(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101105/117936.htm2010/11/5 9:56:31

不同in组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱的表面光伏谱

本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

管型元led的研究

该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型元led的研究,这种管型元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12

管型元led的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型元led的研究,这种管型元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10

欧盟1500万美元资助研究开发高效率ganled

欧盟近期资助的一个研究项目,代号为newled,投资1500万美元,将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led,目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光ganled。

  https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:39

欧盟1500万美元资助研究开发高效率ganled

欧盟近期资助的一个研究项目,代号为newled,投资1500万美元,将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led,目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光ganled。

  https://www.alighting.cn/news/201335/n850249421.htm2013/3/5 16:47:29

首页 上一页 12 13 14 15 16 17 18 19 下一页