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半导体照明有望成为节能环保的优质光源

随着发光材料与发光技术的不断革新,半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品,尤其是氮化(gan)白光led照明光源体积小、重量轻、方向性

  https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00

韩媒:2015年三星会加速研发led

报道显示,三星打算把原来的led生产线“line 3”、“sr line”整并为一条,转移到位于京畿道器兴的“line 5”。line 5原本负责生产三星的系统半导体,但该公司决定

  https://www.alighting.cn/news/20150317/97057.htm2015/3/17 9:14:55

晶能光电衬底led技术荣获国家技术发明一等奖

1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“衬底高光效氮化蓝色发光二极管项目”荣获国家技

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44

最新研究:ingan量子井在led的局限性

氮化(ingan)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04

衬底ganled外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此础上外延生长出了gan发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

绿光led突破光效瓶颈 伦斯勒理工学院取得成果

伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法:在led的蓝宝石衬底和氮化层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光,并且在光提取,内部效率和发光量方

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49

效法摩尔定律:led晶圆制造开启大尺寸竞赛

继6寸晶圆产线陆续启动后,发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发,如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽氮化(gan-on-silico

  https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02

safc hitech台湾新厂扩产高亮度led前驱体产能

正申请iso14001安全与环境协议认证,将针对高亮度led(hbled)的需求上升,大幅增加其制程所使用的三甲(tmg)、三乙(teg)和叁甲铟(tmi)的产

  https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15

gan外延片中载流子浓度的纵向分布

采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan外延片的载流子浓度纵

  https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55

智能led照明 需求持续增长

led芯片的生产离不开铟等稀有金属,而无线通信又离不开锗等金属,随着智能led照明行业的兴起和发展,对于稀有金属的消费量有望逐步释放。

  https://www.alighting.cn/news/2014128/n442867847.htm2014/12/8 13:42:30

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