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科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
目前使用量最大的led芯片是蓝宝石衬底，但有一个例外是美国的cree使用碳化硅当衬底。在照明市场开发的下一个阶段，市场需要的是成本够低，高电流的芯片设计。可能蓝宝石衬底的led芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120912/123068.htm2012/9/12 10:28:23
aixtron近日推出最新产品aix g5+，为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备，可一次处理5片8吋晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米gan hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求低的
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57
daewon innost公司近日发布了一款glaxum (tm)led阵列系列,该产品是采用其自主专利纳米孔硅衬底(nano-pore silicon substrat
https://www.alighting.cn/pingce/20120627/122848.htm2012/6/27 11:09:19
在一些低功率ac-dc非隔离led照明应用中，既要求高功率因数，又要求支持调光，如模拟、数字(pwm)或三端双向可控硅开关器件(triac)调光等。这些应用既可以采用安森美半导
https://www.alighting.cn/pingce/20120615/122389.htm2012/6/15 13:53:08
罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代sic(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
