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新纳晶高亮度LED芯片项目获2500万元资助

担的“高亮度氮化半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予2500.3万元的资

  https://www.alighting.cn/news/20140731/111070.htm2014/7/31 9:11:20

衬底ganLEDn极性n型欧姆接触研究

在si衬底gan垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

氧化对ganLED透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱LED的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

veeco推出三款新系列氮化mocvd设备

这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求低的

  https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化衬底氮化 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

孙钱:衬底gan高效LED的最新进展

6月10日,2015阿拉丁照明论坛之技术峰会隆重开启。“技术峰会ⅱ:芯片、封装与模块化技术”论坛在中国进出口商品交易会展馆-b区8号会议室顺利召开。晶能光电有限公司LED

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30

荷兰akzonobel公司建厂扩大LED前导材料产能

o项目组隶属于akzonobel公司功能化学品业务部,该部门生产铟、铝、锌和镁等的各种有机金属材料,它们是生产LED、太阳能电池以及其他半导体设备的关键前导材

  https://www.alighting.cn/news/20110629/115316.htm2011/6/29 11:51:33

氮化衬底及其生产技术

人从高压熔体中得到了单晶氮化体材料,但尺寸很小,无法使用,目前主要是在蓝宝石、、碳化衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化发光二极管产品,但高档产品只能在氮化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

采钰科技发表8英寸晶圆级LED封装技术

记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生,深入探讨晶圆级LED封装的优势以及未来LED 封装市场趋势。

  https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00

科锐推出650v碳化肖特二极管c3dxx065a系列

近日,碳化功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特势垒(jbs)二极管系列。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17

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