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计，都有极大的空间： 尽管以欧美，日系大厂为首的“高富帅”坐拥芯片专利大权，我们也可以独辟蹊径，挖它山之石，以攻其玉： 1)硅衬底专利有望再创佳绩：2012年，中国厂商晶能光电推
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/2/17/309685.html2013/2/17 13:23:58
持；基于碳化硅衬底的led核心专利则主要被cree所垄断，严重阻碍国内led产业的发展；中国led外延片和芯片制造厂家，普遍缺乏受过良好教育与训练，有知识、有技术、有经验的高级企业管
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简mocvd，又称外延炉），再通入iii、ii族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(v或vi族元素）的氢化物（或烷
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
是2013年大陆led产业发展的主旋律;而产业链趋势，则将环绕在外延芯片、中功率器件、图形化衬底、通路、led背光应用等五大议题发展。1、外延芯片量增价格战引爆2012上半年订单的回暖带
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/4/302338.html2012/12/4 22:00:11
是2013年大陆led产业发展的主旋律；而产业链趋势，则将环绕在外延晶片、中功率器件、图形化衬底、通路、led背光应用等五大议题发展。 １、外延晶片量增 价格战引爆
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2012/12/10/302956.html2012/12/10 9:43:05
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304115.html2012/12/17 19:33:14
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304247.html2012/12/17 19:34:49
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http://blog.alighting.cn/xingzhiguangled/archive/2010/5/5/42842.html2010/5/5 1:55:00
0 lm/w，这种新型结构在国内尚无产品，处于空白状况，目前国内所用的高流明效率的ingaalp功率型硅衬底led芯片全部从海外进口。 整个“十五”期间，我国的ingaalp超
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
