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衬底ganled外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此础上外延生长出了gan发光二极(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

美国防致力开发高能二极激光器

美国防高级研究计划局(darpa)的科学家们正致力于一项开发能够摧毁军事目标的100千瓦武器级二极激光器(adhels)计划,并将在2005年下半年选择该计划的合同商。

  https://www.alighting.cn/news/20050307/103898.htm2005/3/7 0:00:00

gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

元led电光源的研究

本文阐述对一种采用微晶芯片制成的元led的研究,这种元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42

台厂光磊齐纳二极订单量逐月倍增

led台厂光磊(2340)因接获韩系大厂led tv静电保护组件齐纳二极(zener diode)大订单,且订单量逐月倍增,订单能见度已达2010年q3。

  https://www.alighting.cn/news/20100707/106327.htm2010/7/7 0:00:00

晶能光电举行新一代大功率led芯片产品发布会

6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款

  https://www.alighting.cn/news/2012627/n168540848.htm2012/6/27 16:58:02

sj 50033.139-1998半导体光电子器件gf4111型绿色发光二极详细规范

本规范规定了军用gf4111型绿色发光二极的详细要求。适用于器件的研制、生产和采购。

  https://www.alighting.cn/news/20110124/109736.htm2011/1/24 18:03:02

sj 50033.137-1997半导体光电子器件gf216型橙色发光二极详细规范

本规范规定了军用gf216型黄色发光二极的详细要求。适用于器件的研制、生产和采购。

  https://www.alighting.cn/news/20110124/109737.htm2011/1/24 17:50:09

sj 50033.138-1998半导体光电子器件gf318型黄色发光二极详细规范

本规范规定了军用gf318型黄色发光二极的详细要求。适用于器件的研制、生产和采购。

  https://www.alighting.cn/news/20110124/109738.htm2011/1/24 17:42:12

用于固态照明的级联有机发光二极

由于有机发光二极(oled)具有结构简易、质地轻巧、照明柔和、发光面大、功耗低、成本低等优良特性,oled有望成为一种新型的固态照明光源。然而,oled是一种电流器件,它的发

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127314.htm2011/8/15 11:52:00

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