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如何提高大功率led的散热性能, 是led器件封装及其应用的关键技术。《大功率led的散热封装》提出了一种led薄膜集成封装结构, 利用磁控溅射技术制备了实验样品, 依据动态电学
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/28/173922_31.htm2011/7/28 17:39:22
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合gan磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光led的关键材料
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
类钻碳镀层led基板的介绍：led的金属基板上镀一层dlc薄膜，形成高性能导热镀膜，能使led芯片所产生的热量快速散去，降低led芯片温度，使led芯片在更低的温度下工作，降
https://www.alighting.cn/resource/2011/4/1/134456_42.htm2011/4/1 13:44:56
led产业目前的发展也是以高功率、高亮度、小尺寸led产品为发展重点，前述3项因素，都会使得led的散热效率要求越来越高，但是led限于封装尺寸等因素，无法采用太多主动散热机制，因
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128167.htm2010/12/1 14:45:59
影响led散热的主要因素包含了led芯片、芯片载板、芯片封装及模组的材质与设计，而led及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出，所以led芯片 基板及led芯片封装的设计
https://www.alighting.cn/resource/20100908/128011.htm2010/9/8 9:45:15
