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在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
通过开环聚合制备了透明的聚( 二甲基??甲基苯基??甲基乙烯基) 硅氧烷共聚物, 考察了聚合条件对产物结构与性能 的影响。
https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:31:58
室?内?照?明?的?一?些?基?本?计?算?方?法。
https://www.alighting.cn/resource/2014/11/6/18447_68.htm2014/11/6 18:04:47
晶元ingan基led chip：es-ceblv10f【pdf】文档下载。
https://www.alighting.cn/resource/20110315/127885.htm2011/3/15 12:02:21
外延片生长是指：在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06
thd就是用电器源电流谐波含量占基波电流含量百分比的英文缩写表示。一般指的是以2次~39次谐波总量与基波电流的百分比
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8795.htm2007/2/8 13:18:33
为了满足日益增长的市场需求，昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。
https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
高亮度led制造如今是否应该更加重视工艺控制?如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验?
https://www.alighting.cn/2014/7/29 10:16:25
