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近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
构，利用两种以上不同折射率(或介电常数)材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体(photoniccrystal)被发现已将近20 年后的今天，在各领域的应用有著相当令
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利，各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术，目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的，但是，uv led 仍旧有
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31
装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成，其中包括低rdson mosfet以及可将电流能力最高提升至3.2 a的低饱和通用晶体
https://www.alighting.cn/pingce/20131104/121651.htm2013/11/4 11:58:44
led路灯系统的高效率电源驱动器的设计，其首要的目的就是保证路灯的高频率工况，同时防止供电系统中的干扰侵入到路灯系统中而造成损坏。其次，利用多种复合电路和晶体管来提高供电过程
https://www.alighting.cn/resource/20131101/125161.htm2013/11/1 11:05:49
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
它的生产成本、污染成本都避而不谈，这是一个不好的现象。当然led是一种趋势，像以前的电子管换为晶体管，它是一个过程，在这一过程当中，我们付出的成本过大，尤其是现在有些政府的误导使问
http://blog.alighting.cn/Philips/archive/2013/9/18/326141.html2013/9/18 10:48:49
目前，led垂直整合产业链一期工程led蓝宝石晶体生长、蓝宝石切磨抛、外延及芯片、led封装、led显示屏、led照明灯具、电视白板等9个项目已全部完成，年产值55亿元，二期工
https://www.alighting.cn/news/2013917/n557056398.htm2013/9/17 15:03:16
