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本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
jonathan harris表示，一种新型的氮化铝(ain)陶瓷技术，可以在为hb led提供足够的散热性能的同时，拉近其与氧化铝封装的价格点。
https://www.alighting.cn/resource/20140224/124830.htm2014/2/24 14:06:25
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/2014/3/7/155345_18.htm2014/3/7 15:53:45
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
对gan基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率gan 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
导读： 效率下降是阻碍gan基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
通过开环聚合制备了透明的聚(二甲基-甲基苯基-甲基乙烯基)硅氧烷共聚物,考察了聚合条件对产物结构与性能的影响。以该共聚物为基础聚合物,含氢硅油为交联剂,在karstedt催化剂作
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05
