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广2月营收佳 年增率高

led芯片厂广光电(8199)2月营收达新台币2亿5971万,年增210.98%。广累计前2月营收5亿386万元,年增长261.99%。

  https://www.alighting.cn/news/20100312/117685.htm2010/3/12 0:00:00

ucsb:俄歇复合为led效率下降的主要原因

美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(gan)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下

  https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00

广中科新厂将引领高成长动能

led晶粒厂广(8199)受惠于整体接单产能延续满载状态,在下游客户存货盘点影响下,07年12月营收仍旧以2.09亿元续创历史新高,累计07年度总营收亦因此扩增至18.83亿

  https://www.alighting.cn/news/20080109/119657.htm2008/1/9 0:00:00

全国政协委员、中国科学院院士郝跃:设立集成电路一级学科要纳入到国家统一评估体系

全国政协委员、中国科学院院士郝跃在接受《中国电子报》记者专访时表示,设立集成电路一级学科要纳入到国家统一的评估体系中去,在国家学科建设与管理的框架下面进行探讨。

  https://www.alighting.cn/news/20200526/168989.htm2020/5/26 9:40:59

不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长gan质量的影响

n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化质量的影响机

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

氮化铝陶瓷基板在uv led中的应用与研究

本文概述了几种常用陶瓷基板材料的差异、以及在uv led应用领域中的重大意义。指出氮化铝陶瓷基板综合性能最好,是uv led理想的基板材料。

  https://www.alighting.cn/news/20200623/169278.htm2020/6/23 10:39:50

mocvd生长gan基蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

晶电控告广专利侵权案判决 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/2009923/V21009.htm2009/9/23 10:08:53

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