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科锐扩展产品种类,推出低基面位错 4h 碳化外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34

璨圆光电开发铜钨基板led芯片用于投影机

目前使用量最大的led芯片是蓝宝石衬底,但有一个例外是美国的cree使用碳化当衬底。在照明市场开发的下一个阶段,市场需要的是成本够低,高电流的芯片设计。可能蓝宝石衬底的led芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20120912/123068.htm2012/9/12 10:28:23

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化衬底氮化镓 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

实现业界最好散热性能的纳米孔衬底led阵列

daewon innost公司近日发布了一款glaxum (tm)led阵列系列,该产品是采用其自主专利纳米孔衬底(nano-pore silicon substrat

  https://www.alighting.cn/pingce/20120627/122848.htm2012/6/27 11:09:19

安森美半导体通用照明ac-dc led驱动器方案

在一些低功率ac-dc非隔离led照明应用中,既要求高功率因数,又要求支持调光,如模拟、数字(pwm)或三端双向可控开关器件(triac)调光等。这些应用既可以采用安森美半导

  https://www.alighting.cn/pingce/20120615/122389.htm2012/6/15 13:53:08

罗姆实现业界最小的低vf sic肖特基势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代sic(silicon carbide:碳化)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

晶能光电推出光效超120lm/w基大功率led芯片

晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款基大功率芯片,发光效率已超过120lm/w。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35

普瑞东芝共同研发出行业顶级8英寸基氮化镓led芯片

该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求,普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步

  https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28

普瑞与东芝研发8英寸基氮化镓led芯片实现突破

议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸基氮化镓led芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16

科锐推出50a碳化功率器件 实现低成本高能效

科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列——50a碳化功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化mosfet器件,还包括1200

  https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49

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