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采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得GaN 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
在si衬底上生长了GaN基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
本文主要介绍了几种前沿领域的led封装器件，分别应用在led户外全彩显示屏和大尺寸液晶显示屏背光源等领域，是现今及未来五年大批量应用的led封装器件。
https://www.alighting.cn/resource/20100813/127952.htm2010/8/13 14:52:02
随着led照明市场的成熟，人们对光品质的追求越来越高。灯具厂家如何选择“好”的光学器件显得尤为重要。熊大章先生指出，没有统一的“好”标准，最重要的是对应不同的场景，采用最适合的光
https://www.alighting.cn/news/20161122/146263.htm2016/11/22 17:34:42
应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上GaN的晶体特性和光学性能，并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。
https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30
第十轮发布器件数据由国家半导体器件质量监督检验中心(中电科第十三所)测试提供，数据包括350ma下白光、红光、绿光、蓝光光源测试结果，20ma下白光、蓝光器件测试结果以及其它电流
https://www.alighting.cn/news/201223/n185837271.htm2012/2/3 9:08:29
近日，深圳市科技创新委下达批复文件，同意创维液晶器件(深圳)有限公司组建“深圳市光器件系统集成基础应用技术研究重点实验室”，这是创维液晶器件公司继去年获批组建“深圳市固态光源应
https://www.alighting.cn/news/20131104/111482.htm2013/11/4 10:21:11
