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量子点和GaN成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, GaN材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

GaNled外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了GaN发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。

  https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00

日本发表使用氧化镓板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

led需求大增 三菱化学扩大GaN板产能

现在正在进行扩建施工,新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN板的原因是,用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。

  https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53

三菱化学拟扩增led用GaN板产能至2倍

因照明用led需求大增,三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)板产能扩增至现行的2-3倍,以藉此满足顾客端强劲的需求。

  https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23

人体模式静电对GaN 蓝光led载流子运动及其可靠性的影响

静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34

全球最大硅oled厂商合肥视涯建成投产

?11月21日上午,合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行,标志全球最大的硅oled生产工厂正式投产。

  https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24

利用三步法mocvd生长器件质量的GaN

在传统的二步mocvd外延生长的础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43

台湾立电子预计在2017年实现盈利

据悉,自2011年以来,led封装服务商立电子公司已经连续亏损6年,预计2017年公司业务将实现盈利。

  https://www.alighting.cn/news/20170823/152374.htm2017/8/23 9:27:58

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