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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
为何将led应用于车前照灯? 主要因素 –减少封裝尺寸 •缩短灯具长度，增加引擎室空间 –提高造型可塑性 R
https://www.alighting.cn/resource/20081230/V711.htm2008/12/30 12:06:32
随着地球能源的不断消耗和资源的贫乏，温室效应对人类的危害，大气环境对地球的严重污染，国际上要求节能降耗的呼声越来越高。
https://www.alighting.cn/resource/2008313/V14382.htm2008/3/13 10:31:29
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20
首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
文章分析了照明用半导体ｌｅｄ的外延、芯片及封装等相关技术，介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索，提出了一些具体的解决方案，并对ｌｅｄ的产业化生产进行了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
