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inGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

应急照明系统的安全性和节能的思考

过接触器类和一化(单刀双掷) 自动转换开关电路和耗电比较,解决目前应急照明电源系统存在的节能问题 。附件为《应急照明系统的安全性和节能的思考》pdf,欢迎大家下载学

  https://www.alighting.cn/resource/2014/12/9/18940_13.htm2014/12/9 18:09:40

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

led技术进步促进灯光质量的提高

同传统led相比,GaN同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度,并具有每晶元流明优势。

  https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50

led照明高功率因素切相调光器的设计

本文从材料和封装工艺及结构技术等方面因素来阐述提高led亮度的途径。

  https://www.alighting.cn/resource/20141204/123975.htm2014/12/4 11:05:50

电极耦合层对GaN蓝光led出光特性的影响

通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN蓝光le

  https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13

n极性GaN薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

ito表面粗化提高GaNled芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00

GaN倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了GaN倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

关于led路灯光学设计的分析

本ppt为清华大学集成光电子学国家重点实验室/华大学深圳研究生院 半导照明实验室的罗毅、钱可元先生整理的关于led路灯光学设计的分析。详情请下载附件!

  https://www.alighting.cn/2014/11/25 15:22:57

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