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led照明技术及解决方案研发与制造厂商bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化
https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56
led用蓝宝石硅晶锭(sapphireingot)自2009年出现缺货潮后，蓝宝石硅晶圆(sapphirewafer)价格应声而涨，目前蓝宝石晶圆价格较2009年同期增加3倍，
https://www.alighting.cn/news/20100820/118022.htm2010/8/20 13:18:27
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
自2011年以来，50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨，而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间，将借更优异的材料特
https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/97272.htm2014/10/20 12:04:16
为了简化分析过程，进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理，本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发，通过研究不同波段的GaN led在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
