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中山科学研究院开发晶圆级氮化铝led技术

采钰科技与中山科学研究院第四研究所在台湾“经济部”技术处科专计划支援下,共同合作开发晶圆级氮化铝led技术,其20w 超高功率vises系列led氮化铝封装灯珠产品,已于11月成

  https://www.alighting.cn/news/20121219/n648347024.htm2012/12/19 8:50:55

晶圆代工上下游斗法,明年产能利用率将下滑

时隔两年,2011年第三季又重新启动的晶圆代工降价风,看来不会单纯是偶发事件。台积电与联发科各自要守住44%与42%的毛利率底线,将使得未来代工厂与客户之间的价格角力赛,只会越演

  https://www.alighting.cn/news/20111018/114646.htm2011/10/18 11:07:02

牛尾电机将投产“支持200mm晶圆”的三维封装装置

牛尾电机正在开展“ux4”曝光装置系列业务。该系列采用通用的模块型平台,配备全域等倍曝光镜头。由此,支持200mm晶圆,实现了高达120张/小时的吞吐量。该公司已投产led量产用

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115502.htm2011/9/14 10:06:24

科锐与意法半导体扩大并延伸现有sic晶圆供应协议

硅(sic)晶圆供应协议至5亿多美

  https://www.alighting.cn/news/20191120/165184.htm2019/11/20 9:26:34

提升sic晶圆产能,意法半导体完成对norstel ab的并购

12月2日,意法半导体宣布,完成对瑞典碳化硅(sic)晶圆制造商norstelab(“norstel”)的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后,意法半导体行使期权,收购了剩

  https://www.alighting.cn/news/20191209/165508.htm2019/12/9 9:31:19

缓冲层生长压力对mocvd GaN性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

技术工作坊公告-led晶圆级封装与集成

晶圆级、多功能集成将会是一个很大潜力的方向。多功能集成的优势主要可以透过架构的整合创新,缩短led照明的价值链,以降低整体成本。再者,集成产品的附加值,可以让下游生产商提升价值。

  https://www.alighting.cn/news/20121219/108824.htm2012/12/19 13:44:27

两步镀膜ti/al/ti/au的n型GaN欧姆接触研究

报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

投资火热,GaN市场2013年起飞

自2011年以来,50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨,而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间,将借更优异的材料特

  https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31

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