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底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17
用GaN制造的蓝光led。蓝光led的开发使得有较宽光谱宽度的白光led研制成为可能。 目前，白光led通常是将GaN的蓝色led和钇铝石榴石荧光粉相结合，或者用红光led、绿
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282509.html2012/7/19 10:34:30
、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%，led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282421.html2012/7/19 10:23:15
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和inGaN晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282416.html2012/7/19 10:22:52
们没有掌握核心技术，尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺，会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282413.html2012/7/19 10:22:40
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282405.html2012/7/19 10:22:02
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/7/14/281821.html2012/7/14 8:44:47
灯。昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(GaN)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色led。2007年2月， philip s lumileds宣布le
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49
场供过于求，在竞争激烈的同时，价格急剧下滑，这样一来将进一步提高led照明市场的渗透率。 当然，日本在GaN蓝、绿光led等领域突破了一批产业关键和共性技术并在世界范围内设立了专利
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281414.html2012/7/11 14:05:37
用方面，如路灯、街灯、停车场灯、公园灯等等，碍于行政法规上的考虑，有其制式的规定，如光通量、发光效率的规定等虽与传统光源有些差距，但led技术日趋纯熟，反射罩的形式及晶圆的发光效
http://blog.alighting.cn/james168/archive/2012/7/9/281221.html2012/7/9 9:47:48
