站内搜索
本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
近日，住友化学宣称将收购日立金属的复合半导体材料业务，涉及的复合半导体材料包括氮化镓(GaN)基板、氮化镓外延片、砷化镓(gaas)外延片等。吸纳日立金属最先进的氮化镓基板技术
https://www.alighting.cn/news/20150318/83539.htm2015/3/18 9:54:15
近日，住友化学宣称将收购日立金属的复合半导体材料业务，涉及的复合半导体材料包括氮化镓(GaN)基板、氮化镓外延片、砷化镓(gaas)外延片等。
https://www.alighting.cn/news/20150318/110154.htm2015/3/18 9:48:37
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28
研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技术快速发展。这也强有力地推动了照明技术的发展，已经并将对照明技术产生巨
https://www.alighting.cn/news/20150305/83161.htm2015/3/5 11:05:31
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得GaN 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
照明技术的物质基础是光源。因此，照明技术的发展是基于光源技术的发展的。自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技
https://www.alighting.cn/news/20150305/86363.htm2015/3/5 10:10:12
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
