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利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
在LED整个工艺流程中，外延片的设计和生长、芯片的设计和电极的制、以及大功率LED的封装是技术难度较高的环节。LED产业链需要的生产备种类繁多，集中在衬底制备、外延片和芯片制造以
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
n 基蓝光LED 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
随着对LED(发光二极管)灯具的需求持续增长，新型散热技术使制造商能生产光输出更大和寿命更长的发光二极管LED。
https://www.alighting.cn/resource/20110509/127640.htm2011/5/9 19:10:07
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
LED行业是一个高进入壁垒的行业，这里指的是上游芯片和外延片，该环节目前占到了整个产业链产值的70% 。也正是因为如此，才有了LED专利壁垒的形成。
https://www.alighting.cn/resource/20101207/128148.htm2010/12/7 13:25:40
1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使gaasp器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971，业界又推出了具有相同效率的gap绿色裸
https://www.alighting.cn/resource/20091228/V22367.htm2009/12/28 15:22:38
LED芯片的制作工艺并不难，只需12步，就可以轻松搞定。
https://www.alighting.cn/resource/20150121/123709.htm2015/1/21 15:30:40
