站内搜索
对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的ⅱ型inas/gasb超晶格材料,在77k下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
长无机zno纳米柱(nanorod)阵列。此技术有别于传统LED的外延生长制作方式，不仅方法简单且全程低温，对于未来发展白光光源极具吸引
https://www.alighting.cn/resource/20091113/128752.htm2009/11/13 0:00:00
以下展示的是使用cgsim软件对泡生法生长无色蓝宝石晶体的数值模拟结果。其中采用的独特的计算方法包括：在结晶区的计算涉及到蓝宝石熔体的湍流、气体的层流、在半透明晶体的辐射换热，包
https://www.alighting.cn/resource/20110813/127318.htm2011/8/13 13:50:43
通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
将硅衬底上外延生长的氮化镓基LED 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光LED 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
在能源日益短缺的今天，自然能的利用成了人们关注的焦点，在各种自然能中，无穷无尽的太阳能以其无处不在的优势倍受青睐。实际上，地球上的一切能源都来自太阳。煤和石油的生成，植物的生长，
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/13295_14.htm2012/3/13 13:29:05
在介绍LED(发光二极管)工作原理及特性的基础上,围绕着如何提高光取出效率,增强散热等LED产业中的议题,介绍了LED产业链中衬底材料、外延生长、芯片制造、封装、荧光粉,以及驱
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127269.htm2011/8/22 15:39:34
