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2015年11月16日-21日，rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化
https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50
据了解，2018年，三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资333亿元投资ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料、led外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC材料
https://www.alighting.cn/news/20190401/161387.htm2019/4/1 10:16:26
度提高led光提取效率,在使用si、蓝宝石、SiC作为芯片衬底材料时, 菱形结构的光提取效率分别提高到传统方形结构的1. 51、2. 03、3. 65倍
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/15/155226_01.htm2011/7/15 15:52:26
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
长在蓝宝石或SiC衬底上，但是这两种衬底部都比较昂贵，尤其是碳化硅，而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点，人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。评价衬底材料必须综合考虑下列因素：1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(SiC)与硅基氮化镓(gan-on-si)，凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
d的功率大幅提高(相对现在的1w),这样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43
