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硅衬底上gan基led的研制进展

于led的制造成本将大大降低。这是不仅因为si衬底本身的价格比目前使用的蓝宝石和SiC衬底便宜很多,而且可以使用比蓝宝石和SiC衬底的尺寸更大的衬底(例如使用4英寸的si衬底)以提

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

使用不同封装技术 强化led元件的应用优势

件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。  在led的基底材料方面,除传统蓝宝石基底材料外,硅(si)、碳化硅(SiC)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00

led芯制造流程

需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氬气ar等惰性气体作为载体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延做好。接下来是对led-pn结的两个电极进行加工,并对led毛

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

低成本封装引领led第三波成长

变,其中一个值得注意的例子就是cree,其将led晶放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led,其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除,而led结构已接在另

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58

低成本封装引领led第三波成长

变,其中一个值得注意的例子就是cree,其将led晶放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led,其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除,而led结构已接在另

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11

氮化镓衬底及其生产技术

体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpe方法在其他衬底(如al2o3、SiC、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

大功率led封装以及散热技术

热方面的建议,仅供参考! 1.散热要求。外型与材质:如果成品密封要求不高,可与外界空气环境直接发生对流,建议采用带鳍的铝材或铜材散热。2.有效散热表面积:对于1w大功率le

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

热方面的建议,仅供参考! 1.散热要求。外型与材质:如果成品密封要求不高,可与外界空气环境直接发生对流,建议采用带鳍的铝材或铜材散热。2.有效散热表面积:对于1w大功率le

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

热方面的建议,仅供参考! 1.散热要求。外型与材质:如果成品密封要求不高,可与外界空气环境直接发生对流,建议采用带鳍的铝材或铜材散热。2.有效散热表面积:对于1w大功率le

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

高效率光子晶体发光二级管led

可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯亮度的方法,倒装焊芯的电极与热沉芯(硅、铜、氮化镓(gan)、钼、碳化硅(si

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00

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