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cree，semisouth 和crystal is三家化合物半导体公司从美国商务部争取到七百余万美元的项目资金，准备启动汽车用SiC功率模块﹑固体照明用高亮度led和aln衬
https://www.alighting.cn/news/20041206/103373.htm2004/12/6 0:00:00
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
科锐(cree)公司其市场优势来源于其独有的采用SiC(碳化硅)衬底生长gan(氮化镓)技术，科锐的led芯片产品在高端市场上具有很强的竞争力。其高技术水平(高发光效率)引领行
https://www.alighting.cn/news/20100603/120646.htm2010/6/3 0:00:00
以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能，是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联
https://www.alighting.cn/news/20190531/162047.htm2019/5/31 11:41:40
以碳化硅(SiC)、氮化镓(gan)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业exagan公司的多数股
https://www.alighting.cn/news/20200311/167030.htm2020/3/11 9:59:11
l加以优化，因此能够得到较佳的电流分布，进而提高发光效率。 高压发光二极体和一般低压二极体在技术上最主要的差异有叁，第一为沟槽（trench）。沟槽的目的在于将复数颗的晶胞独立开
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
e led一样，此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术，在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性，同时采用了最新封装技
https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
料的led芯片，则使用蓝宝石、SiC和si等作为基板，如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片，则使用 gaas等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
