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样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258503.html2011/12/19 10:56:52
科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化硅zf
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
s)，genelite,欧司朗(osram)，gelcore,首尔半导体等，普瑞，韩国安萤(epivalley)等。1、cree 着名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
l(apei)公司联合开发出搭载了SiC沟槽mos的高速、大电流模块“apei ht2000”。该模块一改传统的si模块的设计，大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17
罗姆根据公司四大发展战略即“led战略”“功率器件战略”“相乘战略”“传感器战略”，设置了多个展区，展示了众多包含罗姆先进技术且符合中国市场需求的产品。
https://www.alighting.cn/news/20111118/114217.htm2011/11/18 16:49:18
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16
此次，以备受关注的新一代功率器件SiC产品为首，罗姆重点展示了在中国市场具有良好发展前景的led·智能手机·汽车·新能源等领域的先进产品，充分显现了罗姆的卓越技术。
https://www.alighting.cn/news/20111117/n394435806.htm2011/11/17 13:40:23
电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
