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大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
底路线和以美国cree为主的碳化硅衬底路线的两大技术垄断，形成了最具发展潜力的氮化镓led领域第三条技术路线，并在全球第一家量产，走出了一条民族自主创新之路。 专家一年50次来
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315433.html2013/4/24 15:56:39
体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年，最小也有5年，普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大，一般在15年到2
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
持；基于碳化硅衬底的led核心专利则主要被cree所垄断，严重阻碍国内led产业的发展；中国led外延片和芯片制造厂家，普遍缺乏受过良好教育与训练，有知识、有技术、有经验的高级企业管
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
射出发光体的能量最多只有百分之三十左右，大部分的能量仍然还是以热能形式残留在led芯片上。led芯片本身的衬底材料、固晶方式也越来越趋于高效导热： (一)碳化硅衬底是目前导热率最
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/22/264686.html2012/2/22 15:55:11
明的需求分析,在以下技术领域将最有可能取得突破,带动产业进入又一波发展高潮。 mocvd设备工业化；高质量、低成本的SiC单晶生长；蓝宝石衬底上外延紫外led ；si衬
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
