站内搜索
1907年henryjosephround第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用;更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒弃了
https://www.alighting.cn/resource/2008723/V16699.htm2008/7/23 10:25:13
全球市场上led芯片基片制造的主流技术是蓝宝石衬底技术和碳化硅衬底技术,它们分别属于日本日亚公司和美国cree公司。我国芯片制造企业大多使用日本日亚的蓝宝石衬底技术,但需要向日本
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127927.htm2010/7/12 16:21:15
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。
https://www.alighting.cn/resource/20140317/124774.htm2014/3/17 14:20:22
在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
本文在对现有的led 肋片散热器结构进行数值分析的基础上， 提出了断开开缝式肋片的结构， 并对其进行了研究分析。
https://www.alighting.cn/2014/10/9 11:17:23
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体，研究了直接粘贴芯片的封装方式中，芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化，发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/2014/4/23 11:15:41
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了SiC衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
本文简述了led灯散热行业内问题，提出便于实现led灯模块标准化的技术方案，将散热片划归为灯具中的部件，由led芯和导热芯构成的灯芯，设计成系列标准，采用圆锥柱面导热芯，有效解
https://www.alighting.cn/resource/20100825/129059.htm2010/8/25 0:00:00
