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三种led衬底材料的比较

要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于GaNled的衬底材料比较多,但是能用于商品化的衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如GaN

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

led lamp(led灯)由那些材料构成

镓铝砷(gaalas)或砷化镓(gaas)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。3)、晶片的结构:焊单线正极性(p/n结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位:mi

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00

led背光源制作工艺简介

术问题解决之后,为led在显示领域的应用奠定了根本性的矗采用led为液晶电视的背光源,最主要目的是提升画质,特别是色彩饱和度上,led背光技术的显示屏可以取得足够宽的色域,弥补液

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229973.html2011/7/17 23:42:00

照明用led封装技术关键

/ GaN 双异质结,inGaN 活化簿层仅几十nm ,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。因此,在产业化生产中,静电的防范是否得当,直接影响到产品的成品率和经济效

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00

led封装对光通量的强化原理

同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者GaN用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用inGaN产生近紫外

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

功率型led的封装技术

小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和GaN 的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00

led隧道照明灯具的节能分析

2led光源与其他光源不同,它的工作电流在额定范围内可大可校这一特性为led灯具实现亮度无级控制奠定了矗目前,隧道led亮度智能无级控制系统已经研发成功,它的推广应用,必将对公路隧

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00

红色荧光粉介绍

备打下了矗图5为不同激活剂含量下该稀土铝酸盐荧光粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于680nm以上,而镓酸盐的发射主峰的波长更长,在700nm以上。 在不同的激活剂含量下,发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00

inn材料的电学特性

膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,GaN缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控

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led外延生长工艺概述

却是所有电子工业的矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶

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