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法进行的几项修改建议。峰值电流模式控制(在升压调节器中控制电感器/开关电流，而不是输出电流)在低端控制器和单片ic中随处可见，它们的控制开关发射极/源极与系统地相连。所有常见的可用低
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230327.html2011/7/20 0:10:00
体效率就不可避免地低于50%。这种方法假定有恒定的vdd和恒定的vf。实际上，vf会随着温度的变化而变化，使得电流也发生变化。采用较高的vdd可以将由vf引起的总体电流变动降至最
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230337.html2011/7/20 0:14:00
求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
好地驱动5 v输入的oled，需要对系统进行额外配置。除了将对应端口的输出方式设置为“漏极开路”外，还应在电路上将每个端口通过一个上拉电阻接到5 v电源，这样可以保证c8051
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230345.html2011/7/20 0:19:00
同规格的led 有着不同的发光角度和不同的亮度。那麽，如何给不同的产品选择合适的led,使其既能发挥最大功效，又能最大限度地降低成本呢？现在我们看看南京比亚数码科技有限公司的专业建
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230346.html2011/7/20 0:19:00
大低于内部加热的衬底温度，使热管壁反应消耗降低。mocvd方法的生长速率适中，可以比较精确地控制膜厚，特别适合于leds和lds的大规模工业化生产，目前已经成为使用最多、生长材料和器
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
子，如生产不同外形的芯片；利用芯片周边有效地控制光折射度提高led取光效率，研制扩大单一芯片表面尺寸（2mm2）增加发光面积，更有利用粗糙的表面增加光线的透出等等。有一些高亮度le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230474.html2011/7/20 23:07:00
置恒定关断时间toff：如果rt连接在rt脚与地之间，rt值将设置开关频率fs：rs1和rs2为电流感测电阻。rs1和rs2上的电压(-vs1与-vs2)分别经rvs1与rref1
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近年来，单片机系统以其体积小、功能强、扩展灵活、使用方便等优点，逐渐渗透到各行业的工程实际应用中。而led显示电路就像单片机系统的眼睛，实时地向人们传递着系统工作的各种状态信
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230490.html2011/7/20 23:17:00
而检验lvds信号传输的稳定性，其示意图如图4所示。部分vhdl代码如下：图5所示是用逻辑分析仪观察到的波形图。从图5可以看出，通过lvds信号线可使此系统在10米处稳定地传输10
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