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灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，led要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
前必需解决的技术问题。目前，散热和可靠性是led照明产品生命周期的制约因素，散热设计一是要led芯片与散热器件路径尽量短，二是要有足够的散热路径以减少散热阻力。 led照明的技
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261590.html2012/1/8 21:54:45
4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。 随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
小企业都很害怕，认为emc要求路灯生产企业要垫付整个工程费用，用后期的节约的电费来支付其工程款,周期长度不等，短期的为5年，有的可长达8年至多。这直接考验着企业的资金实力，具有很
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261584.html2012/1/8 21:53:51
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22
性是led照明产品生命周期的制约因素，散热设计一是要led芯片与散热器件路径尽量短，二是要有足够的散热路径以减少散热阻力。led照明的技术走向，主流光源应该是采用co
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261563.html2012/1/8 21:50:52
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子和空穴就会被推向量子阱，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10
