站内搜索
性进展，利用氮掺杂工艺使gaasp器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971，业界又推出了具有相同效率的gap绿色裸片led。1972年开始有少量led显
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
寸体单晶生长极为困难，现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或SiC异质衬底为基础的。但从晶格匹配和电导、热导特性上看，蓝宝石还不是理想的异质外延衬底，而SiC衬底与gan之间虽然晶格失
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
性进展，利用氮掺杂工艺使gaasp器件的效率达到了1流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971，业界又推出了具有相同效率的gap绿色裸片led。 1972年开始有少量le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
展,利用氮掺杂工艺使gaasp器件的效率达到了1流明/瓦,并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971,业界又推出了具有相同效率的gap绿色裸片led。1972年开始有少量led显示
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
基蓝光激光器仅仅只有二十几年的时间。近年来，有关gan基材料和器件的研究及发展更是大大加速了。由于gan大尺寸体单晶生长极为困难，现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或SiC异质衬底为基
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
责人告诉记者，在成都，以东骏、新力光源等产业链上的企业已经在led蓝宝石外延晶圆片生产、稀土荧光粉封装和驱动电路设计等方面具备了自主知识产权的国际竞争力，而led照明应用工程涉及高
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/11/16/114401.html2010/11/16 10:16:00
坑(lockhill) 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整等等 2）扩片 由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。 我们采用扩
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120405.html2010/12/13 14:40:00
三、led产业链分析 a)led产业链情况? led元件按照其制作过程分为上游单晶片与磊晶片制作，中游晶粒制作（将单晶片经过光刻、腐蚀等程序切割出led晶粒），下游则通过封装制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143100.html2011/3/16 21:29:00
求，须从系统的角度去考虑，如led光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。薄膜芯片技术崭露锋芒目前，led芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
们没有掌握核心技术，尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺，会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/isbelle/archive/2010/9/16/97230.html2010/9/16 14:43:00
