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在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
n的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3ka/cm2,特征温度为145k
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
《高亮度lEd照明的设计挑战和解决方案》内容介绍1.高亮度lEd;2.普通的照明;3.汽车电子;4.显示器背光;5.结论。
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/8/18534_10.htm2011/9/8 18:05:34
9月6日下午，作为大功率lEd芯片生产商——晶科电子(广州)有限公司 “E时代 星精彩”易系列产品发布会在深圳会展中心成功举办，强势推出最新研发的陶瓷基无金线光源产品-易系列，阿
https://www.alighting.cn/news/201198/n065434397.htm2011/9/8 16:11:59
老的技术文件和技术标准的更新中，讨论的相当大一部分问题和缘由来自于新型光源lEd的出现所带来的新现象。第2分部部长、ciE新任副主席yoshihiro ohno总结了目前与lEd相
http://blog.alighting.cn/1023/archive/2011/9/8/236035.html2011/9/8 14:33:06
l 重视老年人、色盲等特定人群视觉和照明的研究 l lEd在未来将引发一场智能化汽车照明乃至整个照明领域的进一步革命 2. ciE第4分部的活动情况和动向 ciE第4分部是交
http://blog.alighting.cn/1023/archive/2011/9/8/236030.html2011/9/8 14:22:34
链,特别是在产业链的两端即lEd上游外延芯片与下游应用环节具有一定优势。在国内技术水平领先的外延芯片和芯片企业的蓝宝、蓝光等企业和后端三思lEd显示屏、小糸lEd车灯、亚明景观照明等产
http://blog.alighting.cn/daoke3000/archive/2011/9/8/236019.html2011/9/8 13:48:46
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、Eopt2.0Ev).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
本系列产品体积小(30x30x11mm, 106.2x32.9x21.5mm, 48.9x42x20mm)，易于装进lEd灯具，也可特别为客户的灯具尺寸量身订做、或客制定电压或
https://www.alighting.cn/news/20110908/114838.htm2011/9/8 11:39:25
