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使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
研究了导热涂层对不同发光颜色、不同封装数量的水下密闭环境下应用的发光二极管(led)散热情况的影响，结果表明:红色led的温度上升最慢，蓝色次之，绿色led的温度上升最快;封装数量
https://www.alighting.cn/2013/1/11 16:17:59
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
本文为晶科电子(广州)有限公司侯宇先生所讲解之《半导体工艺和硅片衬底流程简介》，从半导体的角度去讲解硅片衬底，以及led衬底的制作流程，通过这个教材会对半导体的加工流程和基本形成原
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126938.htm2011/10/31 20:11:17
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
日企 — 柯达开发出使主动矩阵驱动有机el面板多年以来的课题 — tft开态电流误差引起的亮度不均“得到了彻底解决”的补偿技术，并在“sid 2007”上进行了发表。
https://www.alighting.cn/resource/20070530/128504.htm2007/5/30 0:00:00
