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卡塔尔多哈的阿尔法项目设计欣赏

物的皮肤很独特,为古老的阿拉伯文式的girih砖,这将会成为规划的主要部分。它定义和形成的半户外空间贯穿了整个建筑物的内部并向外延伸,加强了内部和外部建筑的连

  http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/233007.html2011/8/19 22:51:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片寿命试验

是有很大的参考价值;寿命试验以外延片生产批为母样,随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片,封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

我国led企业品牌建设的现状、反思与对策

中国led产业起步于20世纪70年代,经过近40年的发展,已初步形成了包括led外延片生产、led芯片制备、led芯片封装以及led产品应用在内的较为完整的产业链。然而我国le

  https://www.alighting.cn/news/20110818/90050.htm2011/8/18 9:51:43

高亮度高纯度白光led封装技术研究

制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled),具体做法是:第一步,在p型外延层上沉积厚度大于50nm的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀p型

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00

我国led企业经营和管理存在的六个主要问题

公司初具规模,资产不断膨胀的时候,这些企业家却发现对于led产业的未来发展其实并不清晰。究竟应该投资外延、芯片,跻身产业链的上游?还是投资应用,向产业链的下游延伸?emc对于助

  https://www.alighting.cn/news/20110816/90175.htm2011/8/16 11:24:55

国标委公布2011年第一批拟立项led相关国家标准

中,包括led相关标准23项,涉及外延芯片、封装及照明应用各个环节。一旦这些国标顺利实施,将对规范半导体照明市场、促进产业健康、快速发展,起到积极作

  https://www.alighting.cn/news/20110816/100362.htm2011/8/16 10:55:29

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

[原创]2012上海led展,上海照明展,第七届上海led展

限公司 国家半导体照明工程上海产业化基地 上海半导体照明工程技术研究中心 上海半导体照明工程技术协会 ◆展品范围 01 材料、组件及封装 1.1 外延片、磊芯片、芯片 1.

  http://blog.alighting.cn/ggexpo2010/archive/2011/8/15/232374.html2011/8/15 14:06:00

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