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错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
d阳极流向阴极，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，电流越强，发光越强。led发光原理不同于传统uhe、uhp灯泡，它在发光过程中不会产生大量热量，因此寿命都可以达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126877.html2011/1/11 0:28:00
造工业带来了诸多挑战。它们的制造是通过复杂的晶体外延生长的方式得到的,比如金属有机化学气相沉积(mocvd)技术,该加工技术非常复杂,它有赖于化学反应来实现晶体生长,而不是物理沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
知，假设环境温度也确定，根据壳 温即等于环境温度，那么此时允许的p也就随之确定。 2、小功率半导体器件，比如小晶体管，ic，一般使用时是不带散热器的。所以这时就要考虑器件壳体到空
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
2b所示。 2、采用线性电流源 加上一个晶体管和/或一个运算放大器，可以把电流非常精确地设置为350毫安。不幸的是，总体效率和r的功率损耗问题依旧。 3、采用低端开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
现代光学耦合器的核心是输入端的led和输出端的光电探测器. 它们被绝缘的光传导介质隔开。光电探测器可以是光电晶体管，可以是带有晶体管的光电二极管，也可以是集成式检测器/逻辑集成电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
而phase_green和phase_blue则很低。因此，晶体管q6接通，来让电流流过红光led串；晶体管q3接通，来让电流流过el7900光传感器的输出回路（它的电流输出iout跟红光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134162.html2011/2/20 23:13:00
伏发电led照明系统控制技术的研究受到了各方面的重视。 太阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6v,通过光照在界面层产
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143399.html2011/3/17 21:34:00
高等级，保证产品在各种易燃易爆场所安全工作。 【bxe8400防爆灯】●采用场效应晶体发光技术，可视距离远，耐老化，寿命长达20000小时。 【bxe8400防爆灯】●具有自动应
http://blog.alighting.cn/wbb1335829909/archive/2011/5/14/178558.html2011/5/14 17:10:00
e的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性晶圆生长或侧向晶圆生长技术采用这种技术可以进一步减少位错密度,改善gan晶圆层的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
