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led主要参数与特性

n 结面积大小不一,使其结电容(零偏压)c≈n+pf左右。c-v 特性呈二次函数关系(如图2)。由1mhz 交流信号用c-v 特性测试仪测得。图2 led c-v特性曲线  1.

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00

led灯具品质与驱动电源的关系分析

d在工作过程中会放出大量的热,使管芯结温迅速上升,led功率越高,发热效应越大。led芯片 温度的升高将导致发光器件 性能的变化与电光转换效率衰减,严重时甚至失效,根据实验测试

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led日光灯电源10大情况分析

7 * n;4、led的工作电压:一般led的推荐工作电压是3.0-3.5v,经测试 ,大部分工作在3.125v,所以按3.125v计算式比较合理的。m个灯珠串联的总电压=3.125

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229860.html2011/7/17 22:44:00

无需电解电容的led照明驱动电源解决方案

己开发的led驱动器、mosfet和肖特基二极管实现,其中120w led照明驱动电源还配有完备的短路、开路保护功能,并通过emc认证测试。这二款产品的工作寿命均长达8万小时,有效克

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led辞典

、切割、崩裂、测 量。而,下游封装顺序为:晶粒、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。国内主要的led生产厂商有:鼎元、光磊、国联、亿光等企业。红外线发光二极管红外

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00

新时代的led背光元件发展趋势

从表中就可以发现,其所表现的色度, 经过测试后,leiz背光模组可达到ntsc的100%色域。日本leiz在这模组上使用了40颗高亮度的三色led,并且在模组两边设

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229908.html2011/7/17 23:08:00

led的封装技术

归led封装与测试,研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型led走向实用、走向市场的产业化必经之路,从某种意义上讲是链接产业与市场的纽带,只有封装好的才能成为终端产品,才能投

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

led外延片(衬底材料)介绍

长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或

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发光二极管封装结构及技术

产,下游归led封装与测试,研发低 热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型led走向实用、走向市场的产业化必经之路,从某种意义上讲是链接产业与市场的纽带,只有封装好的才能成为终

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

大功率led在矿灯行业的应用概况

学性能主要涉及到光谱、光度和色度等性能方面的要求。根据新制定的行业标准“半导体发光二极管测试方法”,主要有发光峰值波长、光谱辐射带宽、轴向发光强度、光束半强度角、光通量、辐射通量、发

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