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照明led的特性测量

普通照明用led光源的典型结构示意图如图1-3所示。 无论是单个封装好的led还是由led串组成的led光源,它都不是物理学上最容易理解和描述的点光源或朗伯光源,它是由多个等

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00

光纤照明和led照明的比较

场发光。它具有如下特点: 1)电压:led使用低压电源,供电电压在6-24v之间,根据产品不同而异,所以它是一种比使用高压电源更安全的电源。 2)效能:消耗能量比同光效的白炽灯减

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134110.html2011/2/20 22:49:00

led发光字的光源选择

人鱼和小草帽。食人鱼发光模组适用于字墙高度在8-10cm间的发光字。 一般来讲,¢3和¢5头的食人鱼发光角度为90度和120度左右。在这种距离下应用在吸塑字上的食人鱼发光模

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00

堆叠式led结构实现紧凑型多通道光学耦合器

路。大多数光学耦合器都经过ul1577、csa和 iec/din en/en 60747-5-2列明的基本安全标准认证。 在某些情况下,人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

合物半导体,gan层属于近紫外led活性层,因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaas、znse等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

基于微控制器的led驱动器拓扑、权衡和局限

统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内,而高亮度led可达1-5瓦。 图1显示了Hi-led内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前,Hi-led上几

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00

led封装结构及其技术

d的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,led的发光强

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聚光条件下太阳电池的热电特性分析

路如图l所示。它相当于一个电流为j9H的恒流源与一只正向二极管并联。流过二极管的正向电流在太阳电池中称为暗电流id。rsH称为旁路电阻.主要由下列几种因素引起:如表面沾污而产生的沿

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2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

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外贸业务必看知识

钱。我已经这样子搜索有1年左右时间,总结的大概原则如下1, 耐心和勤奋我在这个新公司已经有1个月, 绝对很勤奋, 我每天发的邮件有100-400封, 而且每周必有1次follo

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