倒装LED芯片-阿拉丁站内搜索引擎

LEDinside发佈新知识库文章[LED芯片的结构及组成]

https://www.alighting.cn/news/20071203/104619.htm2007/12/3 0:00:00

本文重点介绍了陶瓷基板模封硅胶、cob 封装、高压LED、remote- phosphor LED、倒装芯片封装技术等几种LED 的封装趋势，分析了各技术方案的优缺点。

https://www.alighting.cn/resource/20140324/124747.htm2014/3/24 10:39:40

https://www.alighting.cn/resource/2012/7/19/171446_11.htm2012/7/19 17:14:46

根据晨星先前与创维合作的关系，比方说双方共同研发msd489双向单芯片，这颗产品就具备数码机上盒、数码电视内容、解码等功能，处理器属于32位元mips架构，效能也高，时脉达1gh

https://www.alighting.cn/news/20110823/114893.htm2011/8/23 11:41:54

LEDinside研究协理储于超表示，包括三安、华灿，以及澳洋顺昌等中国大陆LED芯片厂商，2017年开始有明显的扩产计划，估计当这些新的产能陆续到位之后，2017年中国大

https://www.alighting.cn/news/20171027/153323.htm2017/10/27 10:25:26

上海作为国家半导体照明工程产业化基地之一，已基本建立起较完整的外延片生产、芯片制备、封装集成、LED应用产业链，特别在产业链的两端即LED上游外延、芯片与下游应用环节具有一定优势。

https://www.alighting.cn/news/20100826/105186.htm2010/8/26 0:00:00

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37