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将SiC基板的端面倾斜放置，接着制作凹凸状电极，藉此改变光线的入射角，达到抑制光线反射的效果，该公司计划未来将组件上下反转进行flip chip连接，同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
「光子再迴圈」技术 日本sumitomo在1999年1月研制出znse材料的白光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜，通电后该薄膜发出的蓝 光与基板zns
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
衰程度会比有注重散热的led产品要高。led芯片本身的热阻、银胶的影响、基板的散热效果，以及胶体和金线方面也都与光衰有关
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120541.html2010/12/13 23:01:00
贴片led的基板材料与其他贴片一样，但考虑到散热，一般采用专用的高导热金属陶瓷(ltcc-m)基板。 高导热金属陶瓷(ltcc-m)复合基板例如：高功率led陶瓷基板，它
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120533.html2010/12/13 22:59:00
需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氬气ar等惰性气体作为载体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。接下来是对led-pn结的两个电极进行加工，并对led毛
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
体内容分别是：降低晶片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路 基板 的热阻抗、提高晶片的散热顺畅性。为了要降低热阻抗，许多国外led厂商将led晶片设在铜与陶瓷材料氧成的散热
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心，组装完毕需在灯具散热模块外面，加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去，造成散热不良导致led磊晶光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00
c。以材料需求面来说，tft-lcd需要玻璃基板、背光板、偏光板、彩色滤光片及液晶材料等，总计加起来的面板厚度约近1公分左右，但oled的材料则仅包括1片约1.3mm的玻璃基板以及小
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（SiC）[/url] 蓝宝石衬底 通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
