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目前，我国高光效、高可靠的led原材料几乎全部依赖进口，高档外延芯片生产工艺核心技术受制于人，特别是上游芯片专利技术大部分被日、美等国外大厂商掌握。随着led专利战硝烟四起，国
http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/3/28/312728.html2013/3/28 15:50:08
http://blog.alighting.cn/157738/archive/2013/4/3/313438.html2013/4/3 15:27:40
让灯光设计师更好的实现灯具全方面角度调节。 2. 新一代四合一暖白+冷白led芯片技术，一体高效的菲涅尔透镜，灯具拥有业内出色的颜色一致性，混光均匀。 3. 2700-9000k
http://blog.alighting.cn/huangrongfeng/archive/2015/2/3/365390.html2015/2/3 15:37:11
d的芯片封装工艺，以生产高信赖性led点阵、背光模组、照明级cob模组著称。注册资本金人民币1070万元，拥有雄厚的资本实力。13年成功在新三板市场挂牌上市。 工厂坐落在嘉定、青
http://blog.alighting.cn/200689/archive/2015/3/12/366497.html2015/3/12 18:46:01
界营运规模虽仍不比其它上市柜同业、也没有富爸爸的背景资源，不过，本身在磊晶结构和单芯片白光led(自主性发光组件)等产品专利均有技术上的竞争优势，未来营运发展仍将以掌握自有技术专
https://www.alighting.cn/news/20071207/118219.htm2007/12/7 0:00:00
上厂家生产的外延片和芯片的技术性能大多为中低档，一直停留在上一世纪90年代初期（1994年）的带有布拉格反射器的gaas衬底结构，如图1所示,这种结构的发光效率一般仅为10lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
作algaas基板,技术难度高。反向粘着型薄芯片ledreverse mounting type 薄芯片led。此种芯片可粘着在穿式印刷电路板上,减少led所占的厚度。主要可用作可
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
高,发热量有限,热的问题不大,因此其封装方式相对简单。但近年随着led材料技术的不断突破,led的封装技术也随之改变,从早期单芯片的炮弹型封装逐渐发展成扁平化、大面积式的多芯片封装模
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229903.html2011/7/17 23:06:00
片，更大的芯片可以实现更高的效率，而如果未来能够解决高电流的问题我们就可以获得更小的芯片;另一个问题是关于制造，如果能够实现6英寸衬底的技术，就能够实现更高的效率，这样的做法都可
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/1/31/263403.html2012/1/31 15:37:39
国led照明技术上的主要差距是核心装备和原材料仍需依赖进口，国内led企业对设备材料需求旺盛，进口比例从产业的上游到下游呈现由高到低的趋势。 目前，我国自主研发供应的led芯片
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222043.html2011/6/19 22:51:00
