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中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
“制造明亮而廉价的紫外led要比制造蓝光led更具挑战性，但是如果在硅衬底上生长光子器件结构，并采用一个透明接触层及反射电极，就可以成功实现这一目标。”日本理化学研究
https://www.alighting.cn/pingce/20150730/131386.htm2015/7/30 10:20:01
江苏省柔性电子重点实验室黄维院士、王建浦教授团队在钙钛矿发光二极管(led)研究领域取得重大突破，他们创新性地设计并制备了一种具有多量子阱结构的钙钛矿led，其器件效率和稳定性远
https://www.alighting.cn/pingce/20160927/144633.htm2016/9/27 17:32:54
led光效是衡量光电转换器件是否节能的一个重要因素，如何提高led光效使其达到节能的效果，本文从透明衬底技术、金属膜反射技术、表面微结构技术、倒装芯片技术四个方面介绍了提高led
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/21/113338_44.htm2011/10/21 11:33:38
对自己的设计的实现方式越了解，对自己的设计的时序要求越了解，对目标器件的资源分布和结构越了解，对eda工具执行约束的效果越了解，那么对设计的时序约束目标就会越清晰，相应地，设
https://www.alighting.cn/resource/20150106/123788.htm2015/1/6 10:57:30
分析了目前显示市场上各种主流显示器件的特性，介绍了oled 显示模块以及s3c2440 的结构。针对oled 显示模块中8位数据并行接口占用i/o 管脚较多，接口设计繁琐，无法满
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124011.htm2014/11/26 13:57:09
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
为了达到oled的均匀显示效果和解决交叉效应，首先分析了oled 结构特性以及无源oled 器件的驱动特点，介绍了oled 的无源驱动技术。其次，为了达到均匀的现示，采用电流源驱
https://www.alighting.cn/resource/20140918/124286.htm2014/9/18 10:00:02
led 是一种特殊的半导体器件，它可以根据电流大小的不同发出不同颜色的光线，具有体积小、用电量少、稳定性好、多色彩、环保等特点，被广泛应用于各个行业。主要介绍了led 的基本结构
https://www.alighting.cn/resource/20140106/124940.htm2014/1/6 10:15:03
