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提高gan基发光二极管外量子效益的途径

层(dbr)结构, 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方

  https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的ⅱ型inas/gasb超晶格材料,在77k下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

大尺寸tft-lcd的led背光技术

传统的薄膜晶体管液晶显示器通常采用冷阴极荧光灯作为背光光源。相比较而言, 由于发光二极管tft- lcd 背光源系统具有色彩还原性好、对比度高、亮度高等优点, 近年来应用于大尺

  https://www.alighting.cn/2013/1/14 13:52:12

提高led外量子效率的研究进展

光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光子晶体技术

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米柱状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米柱具

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

gasb衬底上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后gan的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00

蓝宝石光纤端面上zno薄膜的制备及其温变光学特性

介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06

led电源的四大保护电路

且开关电源中控制电路比较复杂,晶体管和集成器件耐受电、热冲击的能力较差。因此驱动电源的可靠性影响了led应用产品的寿命,为了保护开关电源自身和负载的安全,延长使用寿命,必须设计安

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127229.htm2011/8/30 14:42:04

[原创]分板机,成型机,螺丝供给机,跳线机,切脚机尽在三田电子机械

主要产品:全自动无废料跳线套管成型机,走刀式分板机,数字控pcb切割机,气动式分板机,螺线供给机,全自动基板清洗机,功率晶体成型机,电晶体自动成型机,电阻成型机,带装立式元件成型

  http://blog.alighting.cn/sztengke/archive/2010/4/13/39958.html2010/4/13 10:52:00

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