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状和gan基器件的进展情况。关键词：gan；si衬底；外延生长中图分类号：tn316 文献标识码：a 文章编号：1003-353x(2006)02-0098-041 引言gan作为新
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理的。对于封装材料的热退化，d.l.barton等人的研究试验表明[1－4]，塑料在150℃左右会由于单纯的热效应使led的光输出减弱，尽管在寿命试验中没有发现塑料封装的外观呈褐色，但
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.7~3.3 v，全部i/o、rst、jtag引脚均耐5 v电压；有高速、流水线结构的8051兼容的cip51内核（可达25 mips）。该mcu具有p0~p7共64个通用i/o端
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鱼和小草帽。食人鱼发光模组适用于字墙高度在8-10cm间的发光字。 一般来讲，￠3和￠5头的食人鱼发光角度为90度和120度左右。在这种距离下应用在吸塑字上的食人鱼发光模组，光线完全可
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点： 1）电压：led使用低压电源，供电电压在6-24v之间，根据产品不同而异，所以它是一种比使用高压电源更安全的电源。 2）效能：消耗能量比同光效的白炽灯减少80%。 3）适用性：每
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图如图1-3所示。 无论是单个封装好的led还是由led串组成的led光源，它都不是物理学上最容易理解和描述的点光源或朗伯光源，它是由多个等效点光源所组成的分散的点光源（象：虚
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用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通
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层，因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaas、znse等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异点，是gan氮化物半导体的纵光
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n结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。图1显示了Hi-led内部电压与电流的典型关
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路。大多数光学耦合器都经过ul1577、csa和 iec/din en/en 60747-5-2列明的基本安全标准认证。在某些情况下，人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数量，
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